CSD13306W | Texas Instruments CSD13306W | CSD13306W Inventory, Best Pricing

CSD13306W

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	CSD13306W
LIXINC Part #	CSD13306W
Producent	Texas Instruments
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	CSD13306W Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

CSD13306W Specyfikacje

Numer części:	CSD13306W
Marka:	Texas Instruments
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Texas Instruments
seria:	NexFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	12 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.5A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11.2 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1370 pF @ 6 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.9W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-DSBGA (1x1.5)
opakowanie / etui:	6-UFBGA, DSBGA