IRF6785MTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF6785MTRPBF | IRF6785MTRPBF Inventory, Best Pricing

IRF6785MTRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF6785MTRPBF
LIXINC Part #	IRF6785MTRPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF6785MTRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF6785MTRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRF6785MTRPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.4A (Ta), 19A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	100mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	36 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1500 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DIRECTFET™ MZ
opakowanie / etui:	DirectFET™ Isometric MZ