TPW1R306PL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPW1R306PL,L1Q

TPW1R306PL,L1Q

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TPW1R306PL,L1Q
LIXINC Part #	TPW1R306PL,L1Q
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TPW1R306PL,L1Q Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TPW1R306PL,L1Q Specyfikacje

Numer części:	TPW1R306PL,L1Q
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSIX-H
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	260A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.29mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	91 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	8100 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	960mW (Ta), 170W (Tc)
temperatura robocza:	175°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-DSOP Advance
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN