BSP135H6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP135H6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP135H6327XTSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSP135H6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP135H6327XTSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSP135H6327XTSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSP135H6327XTSA1 Specyfikacje

Numer części:	BSP135H6327XTSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	SIPMOS®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	120mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	0V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 94µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	4.9 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	146 pF @ 25 V
funkcja fet:	Depletion Mode
rozpraszanie mocy (maks.):	1.8W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-223-4
opakowanie / etui:	TO-261-4, TO-261AA