YJQ35N04A-F1-1100HF | YJQ35N04A-F1-1100HF | YJQ35N04A-F1-1100HF Inventory, Best Pricing

YJQ35N04A-F1-1100HF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	YJQ35N04A-F1-1100HF
LIXINC Part #	YJQ35N04A-F1-1100HF
Producent
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	YJQ35N04A-F1-1100HF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

YJQ35N04A-F1-1100HF Specyfikacje

Numer części:	YJQ35N04A-F1-1100HF
Marka:
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	35A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1500 pF @ 20 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	4.1W (Ta), 40W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-DFN (3.3x3.3)
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN