NVMFS5C410NLAFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS5C410NLAFT3G | NVMFS5C410NLAFT3G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C410NLAFT3G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NVMFS5C410NLAFT3G
LIXINC Part #	NVMFS5C410NLAFT3G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NVMFS5C410NLAFT3G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NVMFS5C410NLAFT3G Specyfikacje

Numer części:	NVMFS5C410NLAFT3G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Not For New Designs
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	50A (Ta), 330A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	0.82mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	143 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	8862 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.8W (Ta), 167W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN, 5 Leads

PXN017-30QLJ	PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33	3999 Więcej na zamówienie
SI2310-TP	MOSFET N-CH 60V 3A SOT23	815 Więcej na zamówienie
FDFMJ2P023Z	MOSFET P-CH 20V 2.9A SC75 MICROF	30944 Więcej na zamówienie
NVMFS4C01NT3G	MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN	974 Więcej na zamówienie
NTY100N10	MOSFET N-CH 100V 123A TO264	810 Więcej na zamówienie
IPZ65R045C7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 46A TO247	990 Więcej na zamówienie
BSC091N03MSCGATMA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	35984 Więcej na zamówienie
FDN338P	MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3	809 Więcej na zamówienie
BSC070N10LS5ATMA1	MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON	2952 Więcej na zamówienie
SI7155DP-T1-GE3	MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK	6102 Więcej na zamówienie
TJ20S04M3L,LXHQ	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK	8797 Więcej na zamówienie
PH4840S,115	MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK56	8424 Więcej na zamówienie
HUFA76429D3S	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA	4338 Więcej na zamówienie