TSM4ND65CI | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM4ND65CI | TSM4ND65CI Inventory, Best Pricing

TSM4ND65CI

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TSM4ND65CI
LIXINC Part #	TSM4ND65CI
Producent	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TSM4ND65CI Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TSM4ND65CI Specyfikacje

Numer części:	TSM4ND65CI
Marka:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	TSC (Taiwan Semiconductor)
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	16.8 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	596 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	41.6W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	ITO-220
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab