IPB45P03P4L11ATMA1 | Rochester Electronics IPB45P03P4L11ATMA1 | IPB45P03P4L11ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB45P03P4L11ATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPB45P03P4L11ATMA1
LIXINC Part #	IPB45P03P4L11ATMA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3-2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPB45P03P4L11ATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPB45P03P4L11ATMA1 Specyfikacje

Numer części:	IPB45P03P4L11ATMA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	45A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	11.1mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 85µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (maks.):	+5V, -16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3770 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	58W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO263-3-2
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB