IPP60R080P7XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP60R080P7XKSA1 | IPP60R080P7XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP60R080P7XKSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPP60R080P7XKSA1
LIXINC Part #	IPP60R080P7XKSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPP60R080P7XKSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPP60R080P7XKSA1 Specyfikacje

Numer części:	IPP60R080P7XKSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	CoolMOS™ P7
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	37A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	80mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 590µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	51 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2180 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	129W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3

PMPB50ENEX	MOSFET DFN2020MD-6	3856 Więcej na zamówienie
PMPB100ENEA115	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	30853 Więcej na zamówienie
SI7434ADP-T1-RE3	MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK	3598 Więcej na zamówienie
IRF9520STRRPBF	MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK	855 Więcej na zamówienie
PSMN057-200B,118	MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK	4306 Więcej na zamówienie
DMN3016LFDE-7	MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN	3883 Więcej na zamówienie
IPP80N04S304AKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	27866 Więcej na zamówienie
C3M0280090J	SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7	984 Więcej na zamówienie
IRF7450PBF	SMPS HEXFET POWER MOSFET	819 Więcej na zamówienie
BSZ22DN20NS3G	BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P	1882 Więcej na zamówienie
BSZ110N08NS5ATMA1	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON	61012 Więcej na zamówienie
APT10021JLL	MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP	984 Więcej na zamówienie
BUK6Y24-40PX	MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56	1987 Więcej na zamówienie