2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK209-GR(TE85L,F) | 2SK209-GR(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

2SK209-GR(TE85L,F)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SK209-GR(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK209-GR(TE85L,F)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	TRANS SJT N-CH 10MA SC59
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SK209-GR(TE85L,F) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 07 - Jul 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SK209-GR(TE85L,F) Specyfikacje

Numer części:	2SK209-GR(TE85L,F)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	-
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	13 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	150mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 125°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SC-59
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3