SPP18P06PHXKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPP18P06PHXKSA1 | SPP18P06PHXKSA1 Inventory, Best Pricing

SPP18P06PHXKSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SPP18P06PHXKSA1
LIXINC Part #	SPP18P06PHXKSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SPP18P06PHXKSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 20 - Sep 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SPP18P06PHXKSA1 Specyfikacje

Numer części:	SPP18P06PHXKSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	SIPMOS®
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	18.7A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	28 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	860 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	81.1W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3