NTLUS3C18PZTBG | Rochester Electronics NTLUS3C18PZTBG | NTLUS3C18PZTBG Inventory, Best Pricing

NTLUS3C18PZTBG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTLUS3C18PZTBG
LIXINC Part #	NTLUS3C18PZTBG
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTLUS3C18PZTBG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 19 - Sep 23 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTLUS3C18PZTBG Specyfikacje

Numer części:	NTLUS3C18PZTBG
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	12 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.4A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	24mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	15.8 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.57 pF @ 6 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	660mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-UDFN (1.6x1.6)
opakowanie / etui:	6-PowerUFDFN