MSC080SMA120B | Roving Networks / Microchip Technology MSC080SMA120B

MSC080SMA120B

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MSC080SMA120B
LIXINC Part #	MSC080SMA120B
Producent	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MSC080SMA120B Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MSC080SMA120B Specyfikacje

Numer części:	MSC080SMA120B
Marka:	Roving Networks / Microchip Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Roving Networks / Microchip Technology
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	37A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	20V
rds na (maks.) @ id, vgs:	100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	64 nC @ 20 V
vgs (maks.):	+23V, -10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	838 pF @ 1000 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	200W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247-3
opakowanie / etui:	TO-247-3