AONV210A60 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AONV210A60

AONV210A60

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	AONV210A60
LIXINC Part #	AONV210A60
Producent	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	AONV210A60 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

AONV210A60 Specyfikacje

Numer części:	AONV210A60
Marka:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
seria:	aMOS5™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.1A (Ta), 20A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	210mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1935 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	8.3W (Ta), 208W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	4-DFN-EP (8x8)
opakowanie / etui:	4-PowerTSFN