FQD16N15TM | Rochester Electronics FQD16N15TM | FQD16N15TM Inventory, Best Pricing

FQD16N15TM

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FQD16N15TM
LIXINC Part #	FQD16N15TM
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FQD16N15TM Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FQD16N15TM Specyfikacje

Numer części:	FQD16N15TM
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	QFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	150 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11.8A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	160mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±25V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	910 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 55W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D-Pak
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63