SSM3K35CT,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K35CT,L3F

SSM3K35CT,L3F

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SSM3K35CT,L3F
LIXINC Part #	SSM3K35CT,L3F
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SSM3K35CT,L3F Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 19 - Sep 23 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SSM3K35CT,L3F Specyfikacje

Numer części:	SSM3K35CT,L3F
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	180mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.2V, 4V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	9.5 pF @ 3 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	100mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	CST3
opakowanie / etui:	SC-101, SOT-883