IPD096N08N3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD096N08N3GATMA1 | IPD096N08N3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD096N08N3GATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPD096N08N3GATMA1
LIXINC Part #	IPD096N08N3GATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPD096N08N3GATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPD096N08N3GATMA1 Specyfikacje

Numer części:	IPD096N08N3GATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	73A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 46µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2410 pF @ 40 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	100W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO252-3
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP5N105K5	MOSFET N-CH 1050V 3A TO220	1776 Więcej na zamówienie
IXTA2N100P-TRL	MOSFET N-CH 1000V 2A TO263	838 Więcej na zamówienie
SIHB22N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	7783 Więcej na zamówienie
FQB7P20TM-F085	MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK	1220 Więcej na zamówienie
R6004ENDTL	MOSFET N-CH 600V 4A CPT3	3438 Więcej na zamówienie
IXFH230N075T2	MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD	1844 Więcej na zamówienie
FQPF18N20V2	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F	2173 Więcej na zamówienie
IPW60R250CPFKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	943 Więcej na zamówienie
BUK7Y6R0-60EX	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	847 Więcej na zamówienie
IPD70N04S307ATMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	10679 Więcej na zamówienie
AOB282L	MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263	820 Więcej na zamówienie
FQNL2N50BTA	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0	20801 Więcej na zamówienie
DMP6185SE-13	MOSFET P-CH 60V 3A SOT223	3112 Więcej na zamówienie