SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor SCT3080ALGC11 | SCT3080ALGC11 Inventory, Best Pricing

SCT3080ALGC11

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SCT3080ALGC11
LIXINC Part #	SCT3080ALGC11
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SCT3080ALGC11 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SCT3080ALGC11 Specyfikacje

Numer części:	SCT3080ALGC11
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	30A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	18V
rds na (maks.) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 5mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	48 nC @ 18 V
vgs (maks.):	+22V, -4V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	571 pF @ 500 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	134W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247N
opakowanie / etui:	TO-247-3