NVC3S5A51PLZT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVC3S5A51PLZT1G

NVC3S5A51PLZT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NVC3S5A51PLZT1G
LIXINC Part #	NVC3S5A51PLZT1G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NVC3S5A51PLZT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NVC3S5A51PLZT1G Specyfikacje

Numer części:	NVC3S5A51PLZT1G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.8A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	250mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	262 pF @ 20 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.2W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	3-CPH
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3