PSMN3R2-40YLDX | Nexperia PSMN3R2-40YLDX | PSMN3R2-40YLDX Inventory, Best Pricing

PSMN3R2-40YLDX

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PSMN3R2-40YLDX
LIXINC Part #	PSMN3R2-40YLDX
Producent	Nexperia
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PSMN3R2-40YLDX Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PSMN3R2-40YLDX Specyfikacje

Numer części:	PSMN3R2-40YLDX
Marka:	Nexperia
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Nexperia
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	120A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.05V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	57 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4103 pF @ 20 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Body)
rozpraszanie mocy (maks.):	115W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	LFPAK56, Power-SO8
opakowanie / etui:	SC-100, SOT-669