FDD10N20LZTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD10N20LZTM

FDD10N20LZTM

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDD10N20LZTM
LIXINC Part #	FDD10N20LZTM
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDD10N20LZTM Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDD10N20LZTM Specyfikacje

Numer części:	FDD10N20LZTM
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	UniFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7.6A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	585 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	83W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63