STLD200N4F6AG | STMicroelectronics STLD200N4F6AG | STLD200N4F6AG Inventory, Best Pricing

STLD200N4F6AG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STLD200N4F6AG
LIXINC Part #	STLD200N4F6AG
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STLD200N4F6AG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STLD200N4F6AG Specyfikacje

Numer części:	STLD200N4F6AG
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	120A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	172 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	10700 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	158W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
opakowanie / etui:	8-PowerWDFN