ES6U1T2R | ROHM Semiconductor ES6U1T2R | ES6U1T2R Inventory, Best Pricing

ES6U1T2R

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	ES6U1T2R
LIXINC Part #	ES6U1T2R
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	ES6U1T2R Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 07 - Jul 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

ES6U1T2R Specyfikacje

Numer części:	ES6U1T2R
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Last Time Buy
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	12 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.3A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	2.4 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	290 pF @ 6 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Isolated)
rozpraszanie mocy (maks.):	700mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-WEMT
opakowanie / etui:	SOT-563, SOT-666