IPN80R3K3P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN80R3K3P7ATMA1 | IPN80R3K3P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN80R3K3P7ATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPN80R3K3P7ATMA1
LIXINC Part #	IPN80R3K3P7ATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPN80R3K3P7ATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 24 - Sep 28 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPN80R3K3P7ATMA1 Specyfikacje

Numer części:	IPN80R3K3P7ATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	CoolMOS™ P7
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	800 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.9A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 30µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	120 pF @ 500 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	6.1W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-SOT223
opakowanie / etui:	TO-261-3