HUF76633P3-F085 | Rochester Electronics HUF76633P3-F085 | HUF76633P3-F085 Inventory, Best Pricing

HUF76633P3-F085

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	HUF76633P3-F085
LIXINC Part #	HUF76633P3-F085
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	HUF76633P3-F085 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 11 - Oct 15 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

HUF76633P3-F085 Specyfikacje

Numer części:	HUF76633P3-F085
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	39A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	35mOhm @ 39A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	67 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.82 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	145W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3