IRFH4210DTRPBF | Rochester Electronics IRFH4210DTRPBF | IRFH4210DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH4210DTRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFH4210DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4210DTRPBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	HEXFET POWER MOSFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFH4210DTRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFH4210DTRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFH4210DTRPBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	44A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	77 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4.812 pF @ 13 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.5W (Ta), 125W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN