IXFN50N120SIC | Wickmann / Littelfuse IXFN50N120SIC | IXFN50N120SIC Inventory, Best Pricing

IXFN50N120SIC

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IXFN50N120SIC
LIXINC Part #	IXFN50N120SIC
Producent	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IXFN50N120SIC Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IXFN50N120SIC Specyfikacje

Numer części:	IXFN50N120SIC
Marka:	Wickmann / Littelfuse
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Wickmann / Littelfuse
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	47A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	20V
rds na (maks.) @ id, vgs:	50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 2mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	100 nC @ 20 V
vgs (maks.):	+20V, -5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1900 pF @ 1000 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-227B
opakowanie / etui:	SOT-227-4, miniBLOC