CSD25211W1015 | Texas Instruments CSD25211W1015 | CSD25211W1015 Inventory, Best Pricing

CSD25211W1015

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	CSD25211W1015
LIXINC Part #	CSD25211W1015
Producent	Texas Instruments
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	CSD25211W1015 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

CSD25211W1015 Specyfikacje

Numer części:	CSD25211W1015
Marka:	Texas Instruments
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Texas Instruments
seria:	NexFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.2A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	33mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	4.1 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	-6V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	570 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-DSBGA (1x1.5)
opakowanie / etui:	6-UFBGA, DSBGA