IRFSL11N50APBF | Vishay / Siliconix IRFSL11N50APBF | IRFSL11N50APBF Inventory, Best Pricing

IRFSL11N50APBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFSL11N50APBF
LIXINC Part #	IRFSL11N50APBF
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFSL11N50APBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFSL11N50APBF Specyfikacje

Numer części:	IRFSL11N50APBF
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	500 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	550mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	51 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1426 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	190W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-262-3
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA