RMD1N25ES9 | Rectron USA RMD1N25ES9 | RMD1N25ES9 Inventory, Best Pricing

RMD1N25ES9

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RMD1N25ES9
LIXINC Part #	RMD1N25ES9
Producent	Rectron USA
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RMD1N25ES9 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RMD1N25ES9 Specyfikacje

Numer części:	RMD1N25ES9
Marka:	Rectron USA
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rectron USA
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.1A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	600mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	30 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	800mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-363
opakowanie / etui:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363