TSM080N03EPQ56 RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM080N03EPQ56 RLG | TSM080N03EPQ56 RLG Inventory, Best Pricing

TSM080N03EPQ56 RLG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TSM080N03EPQ56 RLG
LIXINC Part #	TSM080N03EPQ56 RLG
Producent	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TSM080N03EPQ56 RLG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TSM080N03EPQ56 RLG Specyfikacje

Numer części:	TSM080N03EPQ56 RLG
Marka:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	TSC (Taiwan Semiconductor)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	55A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	750 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	54W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PDFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN