FCH023N65S3-F155 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCH023N65S3-F155

FCH023N65S3-F155

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FCH023N65S3-F155
LIXINC Part #	FCH023N65S3-F155
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FCH023N65S3-F155 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FCH023N65S3-F155 Specyfikacje

Numer części:	FCH023N65S3-F155
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	SuperFET® III
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	75A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	23mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 7.5mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	222 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7160 pF @ 400 V
funkcja fet:	Super Junction
rozpraszanie mocy (maks.):	595W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247 Long Leads
opakowanie / etui:	TO-247-3