PXN018-30QLJ | Nexperia PXN018-30QLJ | PXN018-30QLJ Inventory, Best Pricing

PXN018-30QLJ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PXN018-30QLJ
LIXINC Part #	PXN018-30QLJ
Producent	Nexperia
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PXN018-30QLJ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PXN018-30QLJ Specyfikacje

Numer części:	PXN018-30QLJ
Marka:	Nexperia
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Nexperia
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	18mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	10.8 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	447 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	MLPAK33
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN