ZXMN10B08E6TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	ZXMN10B08E6TA
LIXINC Part #	ZXMN10B08E6TA
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	ZXMN10B08E6TA Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

ZXMN10B08E6TA Specyfikacje

Numer części:	ZXMN10B08E6TA
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.6A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.3V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	9.2 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	497 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.1W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-26
opakowanie / etui:	SOT-23-6