HAT2279N-EL-E | Rochester Electronics HAT2279N-EL-E | HAT2279N-EL-E Inventory, Best Pricing

HAT2279N-EL-E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	HAT2279N-EL-E
LIXINC Part #	HAT2279N-EL-E
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	HAT2279N-EL-E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

HAT2279N-EL-E Specyfikacje

Numer części:	HAT2279N-EL-E
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	30A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	12.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3.52 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	25W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-LFPAK-iV
opakowanie / etui:	8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)