TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part #	TK39J60W5,S1VQ
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK39J60W5,S1VQ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK39J60W5,S1VQ Specyfikacje

Numer części:	TK39J60W5,S1VQ
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	DTMOSIV
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	38.8A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 1.9mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	135 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4100 pF @ 300 V
funkcja fet:	Super Junction
rozpraszanie mocy (maks.):	270W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3P(N)
opakowanie / etui:	TO-3P-3, SC-65-3