SISS61DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISS61DN-T1-GE3 | SISS61DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISS61DN-T1-GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SISS61DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISS61DN-T1-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SISS61DN-T1-GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 11 - Oct 15 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SISS61DN-T1-GE3 Specyfikacje

Numer części:	SISS61DN-T1-GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET® Gen III
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	900mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	231 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	8740 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	5W (Ta), 65.8W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerPAK® 1212-8S
opakowanie / etui:	PowerPAK® 1212-8S