STD4N52K3 | STMicroelectronics STD4N52K3 | STD4N52K3 Inventory, Best Pricing

STD4N52K3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STD4N52K3
LIXINC Part #	STD4N52K3
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STD4N52K3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STD4N52K3 Specyfikacje

Numer części:	STD4N52K3
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	SuperMESH3™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	525 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2.6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	2 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	334 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	45W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63