STU1HN60K3 | STMicroelectronics STU1HN60K3 | STU1HN60K3 Inventory, Best Pricing

STU1HN60K3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STU1HN60K3
LIXINC Part #	STU1HN60K3
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STU1HN60K3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STU1HN60K3 Specyfikacje

Numer części:	STU1HN60K3
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	SuperMESH3™
pakiet:	Tube
stan części:	Not For New Designs
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.2A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	9.5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	140 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	27W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I-PAK
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA