NTMS5P02R2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTMS5P02R2G
LIXINC Part #	NTMS5P02R2G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTMS5P02R2G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTMS5P02R2G Specyfikacje

Numer części:	NTMS5P02R2G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.95A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	33mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.25V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	35 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1900 pF @ 16 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	790mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOIC
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)