1HN04CH-TL-W | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 1HN04CH-TL-W

1HN04CH-TL-W

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	1HN04CH-TL-W
LIXINC Part #	1HN04CH-TL-W
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	1HN04CH-TL-W Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

1HN04CH-TL-W Specyfikacje

Numer części:	1HN04CH-TL-W
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	270mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8Ohm @ 140mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	0.9 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	15 pF @ 20 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	3-CPH
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3