BUK9Y19-55B/C2,115 | Rochester Electronics BUK9Y19-55B/C2,115 | BUK9Y19-55B/C2,115 Inventory, Best Pricing

BUK9Y19-55B/C2,115

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BUK9Y19-55B/C2,115
LIXINC Part #	BUK9Y19-55B/C2,115
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK56
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BUK9Y19-55B/C2,115 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BUK9Y19-55B/C2,115 Specyfikacje

Numer części:	BUK9Y19-55B/C2,115
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	55 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	46A
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	17.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	18 nC @ 5 V
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.992 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	LFPAK56, Power-SO8
opakowanie / etui:	SC-100, SOT-669