CSD19532Q5BT | Texas Instruments CSD19532Q5BT | CSD19532Q5BT Inventory, Best Pricing

CSD19532Q5BT

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	CSD19532Q5BT
LIXINC Part #	CSD19532Q5BT
Producent	Texas Instruments
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	CSD19532Q5BT Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

CSD19532Q5BT Specyfikacje

Numer części:	CSD19532Q5BT
Marka:	Texas Instruments
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Texas Instruments
seria:	NexFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	100A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	62 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4810 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.1W (Ta), 195W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-VSON-CLIP (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN