TJ10S04M3L,LXHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ10S04M3L,LXHQ

TJ10S04M3L,LXHQ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TJ10S04M3L,LXHQ
LIXINC Part #	TJ10S04M3L,LXHQ
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TJ10S04M3L,LXHQ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TJ10S04M3L,LXHQ Specyfikacje

Numer części:	TJ10S04M3L,LXHQ
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVI
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	44mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (maks.):	+10V, -20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	930 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	27W (Tc)
temperatura robocza:	175°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK+
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63