FDI045N10A | Rochester Electronics FDI045N10A | FDI045N10A Inventory, Best Pricing

FDI045N10A

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDI045N10A
LIXINC Part #	FDI045N10A
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDI045N10A Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDI045N10A Specyfikacje

Numer części:	FDI045N10A
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	120A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	74 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5.27 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	263W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I2PAK (TO-262)
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA