E-mail
Electronic Components dystrybuuje
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Rozwiń menu
RFQ

A2T09VD300NR1

A2T09VD300NR1
Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części A2T09VD300NR1
LIXINC Part # A2T09VD300NR1
Producent NXP Semiconductors
Kategoria dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - rf
Opis IC TRANS RF LDMOS
Koło życia Aktywny
RoHS Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD A2T09VD300NR1 Ślad PCB i symbol
Magazyny USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Wysyłka DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

A2T09VD300NR1 Specyfikacje

Numer części:A2T09VD300NR1
Marka:NXP Semiconductors
Koło życia:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:tranzystory - fety, mosfety - rf
Producent:NXP Semiconductors
seria:-
pakiet:Tape & Reel (TR)
stan części:Active
typ tranzystora:LDMOS (Dual)
częstotliwość:920MHz
osiągać:21.5dB
napięcie - test:48 V
prąd znamionowy (ampery):-
postać szumu:-
aktualny - próbny:1.2 A
moc - wyjście:79W
napięcie znamionowe:105 V
opakowanie / etui:TO-270-6 Variant, Flat Leads
pakiet urządzeń dostawcy:TO-270WB-6A

A2T09VD300NR1 Dokumenty

if A2T09VD300NR1 Plik PDF jest niedostępny, wróć

Produkty, które mogą Cię zainteresować

CPH5870-TL-E CPH5870-TL-E NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES 180634

Więcej na zamówienie
IRF1S30P05SM IRF1S30P05SM IRF1S30P05SM 852

Więcej na zamówienie
ARF468AG ARF468AG RF MOSFET (VDMOS) 876

Więcej na zamówienie
RF3L05150CB4 RF3L05150CB4 150 W, 28/32 V RF POWER LDMOS TR 853

Więcej na zamówienie
BF909AR215 BF909AR215 MOSFET N-CH SOT-143R 9938

Więcej na zamówienie
MWT-3F MWT-3F HIGH POWER GAAS MESFET 1062

Więcej na zamówienie
SCH1410-TL-E SCH1410-TL-E NCH 2.5V DRIVE SERIES 945

Więcej na zamówienie
BF886H6327XTSA1 BF886H6327XTSA1 MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 810

Więcej na zamówienie
GTVA101K42EV-V1-R250 GTVA101K42EV-V1-R250 GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ 978

Więcej na zamówienie
PTFB241402F-V1-R250 PTFB241402F-V1-R250 IC AMP RF LDMOS 945

Więcej na zamówienie
PD57045-E PD57045-E FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 867

Więcej na zamówienie
IGN0912LM500 IGN0912LM500 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND 980

Więcej na zamówienie
GTRA362802FC-V1-R2 GTRA362802FC-V1-R2 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH 988

Więcej na zamówienie

Szybkie zapytanie

w magazynie 10991 - Więcej na zamówienie
Limit kwotowania Bez limitu
Czas realizacji Do potwierdzenia
Minimum 1

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

cennik (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$89.29580$89.2958
500$89.29580$44647.9

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

Skontaktuj się z nami

ZADZWOŃ DO NAS
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Wiadomość
Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

Nasze certyfikaty

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top