30C01C-TB-E | Rochester Electronics 30C01C-TB-E | 30C01C-TB-E Inventory, Best Pricing

30C01C-TB-E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	30C01C-TB-E
LIXINC Part #	30C01C-TB-E
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - rf
Opis	BIP NPN 0.4A 30V
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	30C01C-TB-E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

30C01C-TB-E Specyfikacje

A3G26H501W17SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	833 Więcej na zamówienie
CG2H40010P	10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P	852 Więcej na zamówienie
PXAC261002FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	800 Więcej na zamówienie
AD9920BBCZRL	12 BIT, 40 MHZ AFETG CONVERTER	6814 Więcej na zamówienie
MMRF2005GNR1	SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND	856 Więcej na zamówienie
BLP10H660PY	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF	946 Więcej na zamówienie
IGN1011L1200	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	948 Więcej na zamówienie
BLP05H9S500PY	BLP05H9S500P/OMP780/REELDP	1001 Więcej na zamówienie
EC4409C-TL-H	NCH 1.8V DRIVE SERIES	40898 Więcej na zamówienie
2SK2617ALS-CB11	NCH 15V DRIVE SERIES	5998 Więcej na zamówienie
NE3510M04-07-T2-A	RF SMALL SIGNAL FET	33562 Więcej na zamówienie
2SK1847-TB-E	NCH 4V DRIVE SERIES	811 Więcej na zamówienie
PXAC210552ND-V1-R5	RF MOSFET LDMOS DUAL PG-HB1SOF-4	899 Więcej na zamówienie

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.05000	$0.05

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015