BSC072N03LDGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC072N03LDGATMA1 | BSC072N03LDGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC072N03LDGATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSC072N03LDGATMA1
LIXINC Part #	BSC072N03LDGATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSC072N03LDGATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSC072N03LDGATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSC072N03LDGATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11.5A
rds na (maks.) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	41nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3500pF @ 15V
moc - maks:	57W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TDSON-8-4