SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 | SQJ262EP-T1

SQJ262EP-T1_GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SQJ262EP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ262EP-T1_GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SQJ262EP-T1_GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SQJ262EP-T1_GE3 Specyfikacje

Numer części:	SQJ262EP-T1_GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Standard
dren do źródła napięcia (vdss):	60V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	15A (Tc), 40A (Tc)
rds na (maks.) @ id, vgs:	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
moc - maks:	27W (Tc), 48W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	PowerPAK® SO-8 Dual
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric