CSD87333Q3DT | Texas Instruments CSD87333Q3DT | CSD87333Q3DT Inventory, Best Pricing

CSD87333Q3DT

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	CSD87333Q3DT
LIXINC Part #	CSD87333Q3DT
Producent	Texas Instruments
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	CSD87333Q3DT Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

CSD87333Q3DT Specyfikacje

Numer części:	CSD87333Q3DT
Marka:	Texas Instruments
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Texas Instruments
seria:	NexFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
funkcja fet:	Logic Level Gate, 5V Drive
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	15A
rds na (maks.) @ id, vgs:	14.3mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	4.6nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	662pF @ 15V
moc - maks:	6W
temperatura robocza:	125°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN
pakiet urządzeń dostawcy:	8-VSON (3.3x3.3)